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IRLR/U014NPbF
500
400
Ciss
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
15
I D = 6 A
V DS = 44V
V DS = 27V
10
300
Coss
200
5
100
Crss
0
1
10
100
0
0
2
4
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
6 8 10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
T J = 175 ° C
10us
1
10
1
100us
1ms
10ms
0.1
0.2
0.6
T J = 25 ° C
1.0
V GS = 0 V
1.4
1.8
0.1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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